iPhone 5 будет иметь 128 Гбайт внутренней памяти?

Хотя iPhone 4 был официально представлен всего десять дней назад, некоторые источники уже сообщают, что iPhone пятого поколения может обладать 128 Гбайт внутренней памяти. Дело в том, что сегодня утром Toshiba официально представила модуль NAND Flash 128 Гбайт — THGBM2T0DBFBAIF. Как заявили японцы, это самый вместительная в мире микросхема памяти такого типа на данный момент. Поставки таких модулей намечены на сентябрь этого года.

Стоит отметить, что данный модуль содержит 16 микросхем 64 Гб (4 Гбайт) NAND Flash, которые изготовлены по техпроцессу 32 нм, а также интегрированный контроллер. Он очень компактный и идеально подходит мобильным и портативным устройствам. По официальным данным, размеры THGBM2T0DBFBAIF составляют 17x22x1,4 мм.

Остается только добавить, что хотя iPhone 4 обладает рядом замечательных особенностей, объём его внутренней памяти по-прежнему ограничивается 32 Гбайт.

Источник: Pocket-Lint.com
Специально для Appleinsider.com