Первые процессоры Intel с 3D транзисторами на подходе

Intel снова совершила чудо! Как стало известно, вчера процессорный гигант официально объявил о создании так называемых транзисторов с трехмерной структурой (tri-gate transistor, 3D transistor) и они будут использоваться в серийных микросхемах следующего поколения. По словам Марка Бора (Mark Bohr), старшего научного сотрудника Intel, такие микросхемы будут обладать невиданной доселе производительностью и отличаться весьма высокой энергоэффективностью.

Первые процессоры Intel с 3D транзисторами на подходе. Фото.
Если верить Intel, 3D транзисторы, изготовленные по техпроцессу 22 нм, на 37 процентов быстрее, чем 32-нм планарные транзисторы при работе под низким напряжением. Более того, они потребляют на 50 процентов меньше энергии по сравнению с 32-нм 2D транзисторами. Благодаря трехмерной структуре затвора 3D транзисторы более эффективны при управлении рабочим током и обеспечивают более быстрое переключение между рабочими состояниями.

Как ожидается, данная технология будет реализована на процессорах Ivy Bridge, которые будут выпущены в начале следующего года. Если все пойдет по плану Intel, их серийное производство должно начаться уже во второй половине этого года.

Первые процессоры Intel с 3D транзисторами на подходе. Фото.

Первые процессоры Intel с 3D транзисторами на подходе. Фото.

Первые процессоры Intel с 3D транзисторами на подходе. Фото.

Источник: CNet.com; TcMagazine.com