Восьмислойная память Hynix объемом до 100 Гб в едином модуле

6

Становится всё сложнее и дороже интегрировать соответствующий современным требованиям объем оперативной памяти (11-нанометровый размер при этом является предельным лимитом). Многие разработчики сейчас рассматривают возможность накладывать чипы памяти друг на друга, чтобы расширить память и сохранить при этом физические габариты.

Многослойная ОЗУ Hynix

Hynix представила новую технологию послойного соединения 2 Гб чипов памяти в единый 16-гигабайтный модуль. Технология TSV используется для создания «многослойного пирога» из оперативной памяти, при этом в каждом слое просверливаются отверстия для соединения слоев. Это не самый простой путь, но самый лучший, по заверениям представителей Hynix.

С помощью данной технологии можно создавать модули оперативной памяти объемом до 100 Гб. Это касается даже памяти для ноутбуков. Hynix планирует производить с использованием этой технологии 64-гигабайтные модули памяти. Производство начнется в течение ближайших нескольких лет.

Источник: Harmac.com

 
Авторизуйтесь Чтобы оставить комментарий